MJD32C-13
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是Diodes公司的MJD32C-13的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;晶体管类型:PNP;电流-集电极(Ic)(最大值):3A;电压-集射极击穿(最大值):100V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A;
- 厂商:Diodes公司
- 类别:
分立半导体产品/晶体管(BJT) - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流-集电极(Ic)(最大值):3A
- 电压-集射极击穿(最大值):100V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A
- 电流-集电极截止(最大值):1µA
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V
- 功率-最大值:1.56W
- 频率-跃迁:3MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)