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综述介绍

KSH45H11ITU

KSH45H11ITU

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的KSH45H11ITU的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：8A；电压-集射极击穿（最大值）：80V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 400mA，8A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：8A
电压-集射极击穿（最大值）：80V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 400mA，8A
电流-集电极截止（最大值）：10µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 4A，1V
功率-最大值：1.75W
频率-跃迁：40MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak

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