2SA1955FVATPL3Z

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是东芝半导体的2SA1955FVATPL3Z的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：400mA；电压-集射极击穿（最大值）：12V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，200mA；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：400mA
电压-集射极击穿（最大值）：12V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，200mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：300 @ 10mA，2V
功率-最大值：100mW
频率-跃迁：130MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-101，SOT-883
供应商器件封装：CST3

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