2SC33120RA

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的2SC33120RA的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带盒（TB）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA；电压-集射极击穿（最大值）：55V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 10mA，100mA；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带盒（TB）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：55V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 10mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：1µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：180 @ 2mA，5V
功率-最大值：300mW
频率-跃迁：200MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：NS-B1
供应商器件封装：NS-B1

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