ZXTS1000E6TA

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是达尔捷特科的ZXTS1000E6TA的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：PNP + 二极管（隔离式）；电流-集电极（Ic）（最大值）：1.25A；电压-集射极击穿（最大值）：12V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：240mV @ 100mA，1.25A；

厂商：达尔捷特科
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：PNP + 二极管（隔离式）
电流-集电极（Ic）（最大值）：1.25A
电压-集射极击穿（最大值）：12V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：240mV @ 100mA，1.25A
电流-集电极截止（最大值）：10nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 500mA，2V
功率-最大值：885mW
频率-跃迁：220MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6
供应商器件封装：SOT-23-6

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