KSH44H11ITU
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是飞兆半导体公司的KSH44H11ITU的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;晶体管类型:NPN;电流-集电极(Ic)(最大值):8A;电压-集射极击穿(最大值):80V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):1V @ 400mA,8A;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/晶体管(BJT) - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流-集电极(Ic)(最大值):8A
- 电压-集射极击穿(最大值):80V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):1V @ 400mA,8A
- 电流-集电极截止(最大值):10µA
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):40 @ 4A,1V
- 功率-最大值:1.75W
- 频率-跃迁:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:I-Pak