TRD236DT4

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是意法半导体公司的TRD236DT4的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：4A；电压-集射极击穿（最大值）：400V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.3V @ 600mA，2.5A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：4A
电压-集射极击穿（最大值）：400V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.3V @ 600mA，2.5A
电流-集电极截止（最大值）：250µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：8 @ 2.5A，5V
功率-最大值：35W
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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