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综述介绍

2N2102

2N2102

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是中央半导体公司的2N2102的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：1A；电压-集射极击穿（最大值）：65V；电流-集电极截止（最大值）：2nA（ICBO）；

厂商：中央半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：1A
电压-集射极击穿（最大值）：65V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：-
电流-集电极截止（最大值）：2nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 150mA，10V
功率-最大值：1W
频率-跃迁：60MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：TO-39

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