KSB834WYTM

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的KSB834WYTM的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：3A；电压-集射极击穿（最大值）：60V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 300mA，3A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：3A
电压-集射极击穿（最大值）：60V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 300mA，3A
电流-集电极截止（最大值）：100µA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 5mA，5V
功率-最大值：1.5W
频率-跃迁：9MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D²PAK

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