Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > 晶体管（BJT） - 单路 > 2N6123

综述介绍

2N6123

2N6123

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是中央半导体公司的2N6123的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：4A；电压-集射极击穿（最大值）：80V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.4V @ 1A，4A；

厂商：中央半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：4A
电压-集射极击穿（最大值）：80V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.4V @ 1A，4A
电流-集电极截止（最大值）：1mA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：20 @ 1.5A，2V
功率-最大值：40W
频率-跃迁：2.5MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号