2SB1182TLR

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是罗姆半导体集团的2SB1182TLR的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：2A；电压-集射极击穿（最大值）：32V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：800mV @ 200mA，2A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：32V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：800mV @ 200mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：180 @ 500mA，3V
功率-最大值：10W
频率-跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：CPT3

PDF 下载