KSB1151YS

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的KSB1151YS的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：5A；电压-集射极击穿（最大值）：60V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 200mA，2A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：5A
电压-集射极击穿（最大值）：60V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 200mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 2A，1V
功率-最大值：1.3W
频率-跃迁：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：TO-126

PDF 下载