QST6TR

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是罗姆半导体集团的QST6TR的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：2A；电压-集射极击穿（最大值）：12V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：180mV @ 50mA，1A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：12V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：180mV @ 50mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：270 @ 200mA，2V
功率-最大值：500mW
频率-跃迁：360MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSMT6

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