2SD2525(TP,Q)

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是东芝半导体的2SD2525(TP,Q)的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带盒（TB）；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：3A；电压-集射极击穿（最大值）：60V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 200mA，2A；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带盒（TB）
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：3A
电压-集射极击穿（最大值）：60V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 200mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 500mA，5V
功率-最大值：1.8W
频率-跃迁：3MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3（SMT）标片
供应商器件封装：TPL

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