TTC008(Q)

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是东芝半导体的TTC008(Q)的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：1.5A；电压-集射极击穿（最大值）：285V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 62.5mA，500mA；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：1.5A
电压-集射极击穿（最大值）：285V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 62.5mA，500mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 1mA，5V
功率-最大值：1.1W
频率-跃迁：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：PW-MOLD2

PDF 下载