2SA2121-O(Q)
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是东芝半导体的2SA2121-O(Q)的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路。 具体规格参数如下:包装:散装;晶体管类型:PNP;电流-集电极(Ic)(最大值):15A;电压-集射极击穿(最大值):200V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):3V @ 1A,10A;
- 厂商:东芝半导体
- 类别:
分立半导体产品/晶体管(BJT) - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:散装
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流-集电极(Ic)(最大值):15A
- 电压-集射极击穿(最大值):200V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):3V @ 1A,10A
- 电流-集电极截止(最大值):-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V
- 功率-最大值:220W
- 频率-跃迁:25MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3PL
- 供应商器件封装:TO-3P(L)