BC858B-7-F

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的BC858B-7-F的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA；电压-集射极击穿（最大值）：30V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：650mV @ 5mA，100mA；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：30V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：650mV @ 5mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：15nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：220 @ 2mA，5V
功率-最大值：300mW
频率-跃迁：200MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

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