ZXTN25100DGQTA

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的ZXTN25100DGQTA的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：3A；电压-集射极击穿（最大值）：100V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：500mV @ 600mA，3A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：*可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：3A
电压-集射极击穿（最大值）：100V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：500mV @ 600mA，3A
电流-集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：300 @ 10mA，2V
功率-最大值：1.2W
频率-跃迁：175MHz
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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