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2SC3624-T1B-A

2SC3624-T1B-A

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是瑞萨电子美国公司的2SC3624-T1B-A的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路。 具体规格参数如下:包装:*;晶体管类型:NPN;电流-集电极(Ic)(最大值):150mA;电压-集射极击穿(最大值):50V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA;


  • 厂商:瑞萨电子美国公司
  • 类别: 分立半导体产品/晶体管(BJT) - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:*
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):150mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA
  • 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1mA,5V
  • 功率-最大值:200mW
  • 频率-跃迁:250MHz
  • 安装类型:*
  • 封装/外壳:*
  • 供应商器件封装:*
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