2SD0946B

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的2SD0946B的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：NPN - 达林顿；电流-集电极（Ic）（最大值）：1A；电压-集射极击穿（最大值）：80V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.8V @ 1mA，1A；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
晶体管类型：NPN - 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）：1A
电压-集射极击穿（最大值）：80V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.8V @ 1mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：4000 @ 1A，10V
功率-最大值：1.2W
频率-跃迁：150MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：TO-126B-A1

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