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2SD1221-Y(Q)

2SD1221-Y(Q)

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是东芝半导体的2SD1221-Y(Q)的数据表，它是属于分立半导体产品 晶体管（BJT） - 单路。 具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：3A；电压-集射极击穿（最大值）：60V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 300mA，3A；


  • 厂商：东芝半导体
  • 类别： 分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：3A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：60V
  • 不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1V @ 300mA，3A
  • 电流-集电极截止（最大值）：-
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 500mA，5V
  • 功率-最大值：1W
  • 频率-跃迁：3MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：PW-MOLD
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