ZXT1M322TA

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是Diodes公司的ZXT1M322TA的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：4A；电压-集射极击穿（最大值）：12V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 150mA，4A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：4A
电压-集射极击穿（最大值）：12V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 150mA，4A
电流-集电极截止（最大值）：25nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：180 @ 2.5A，2V
功率-最大值：3W
频率-跃迁：110MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装：3-MLP/DFN（2x2）

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