2SA1084ETZ-E

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的2SA1084ETZ-E的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带盒（TB）；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA；电压-集射极击穿（最大值）：90V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：200mV @ 1mA，10mA；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带盒（TB）
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：90V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：200mV @ 1mA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：400 @ 2mA，12V
功率-最大值：400mW
频率-跃迁：90MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3短身定形引线
供应商器件封装：TO-92-3

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