KSH112GTM_NB82051

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是飞兆半导体公司的KSH112GTM_NB82051的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN - 达林顿；电流-集电极（Ic）（最大值）：2A；电压-集射极击穿（最大值）：100V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：3V @ 40mA，4A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN - 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：100V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：3V @ 40mA，4A
电流-集电极截止（最大值）：20µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：1000 @ 2A，3V
功率-最大值：1.75W
频率-跃迁：25MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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