2N2219A

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是意法半导体公司的2N2219A的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：800mA；电压-集射极击穿（最大值）：30V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：800mA
电压-集射极击穿（最大值）：30V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，10V
功率-最大值：800mW
频率-跃迁：250MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：TO-39

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