SGSD200

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是意法半导体公司的SGSD200的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：PNP - 达林顿；电流-集电极（Ic）（最大值）：25A；电压-集射极击穿（最大值）：80V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：3.5V @ 80mA，20A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：PNP - 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）：25A
电压-集射极击穿（最大值）：80V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：3.5V @ 80mA，20A
电流-集电极截止（最大值）：500µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：500 @ 10A，3V
功率-最大值：130W
频率-跃迁：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3

PDF 下载