BUL642D2G

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的BUL642D2G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：3A；电压-集射极击穿（最大值）：440V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 200mA，2A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：3A
电压-集射极击穿（最大值）：440V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 200mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：200µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：16 @ 500mA，1V
功率-最大值：75W
频率-跃迁：13MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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