BU900TP

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是意法半导体公司的BU900TP的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：NPN - Trilinton，齐纳箝位；电流-集电极（Ic）（最大值）：5A；电压-集射极击穿（最大值）：370V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：4V @ 3mA，3A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：NPN - Trilinton，齐纳箝位
电流-集电极（Ic）（最大值）：5A
电压-集射极击穿（最大值）：370V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：4V @ 3mA，3A
电流-集电极截止（最大值）：100µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：7000 @ 1A，5V
功率-最大值：55W
频率-跃迁：-
安装类型：通孔
封装/外壳：SOT-82
供应商器件封装：SOT-82-3

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