MJD18002D2T4G

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的MJD18002D2T4G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：2A；电压-集射极击穿（最大值）：450V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：750mV @ 200mA，1A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：450V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：750mV @ 200mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：100µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：6 @ 1A，1V
功率-最大值：50W
频率-跃迁：13MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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