MPSA42RL1G
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是安森美半导体公司的MPSA42RL1G的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;晶体管类型:NPN;电流-集电极(Ic)(最大值):500mA;电压-集射极击穿(最大值):300V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/晶体管(BJT) - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流-集电极(Ic)(最大值):500mA
- 电压-集射极击穿(最大值):300V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA
- 电流-集电极截止(最大值):-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V
- 功率-最大值:625mW
- 频率-跃迁:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商器件封装:TO-92-3