DTDG14GPT100

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是罗姆半导体集团的DTDG14GPT100的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN - 预偏压；电流-集电极（Ic）（最大值）：1A；电压-集射极击穿（最大值）：60V；电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：10k；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流-集电极（Ic）（最大值）：1A
电压-集射极击穿（最大值）：60V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：-
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：10k
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：300 @ 500mA，2V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，500mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
频率-跃迁：80MHz
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-243AA
供应商器件封装：MPT3

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