RN1112CT(TPL3)

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的RN1112CT(TPL3)的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN - 预偏压；电流-集电极（Ic）（最大值）：50mA；电压-集射极击穿（最大值）：20V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：22k；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流-集电极（Ic）（最大值）：50mA
电压-集射极击穿（最大值）：20V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：22k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：300 @ 1mA，5V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：150mV @ 250µA，5mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
频率-跃迁：-
功率-最大值：50mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-101，SOT-883
供应商器件封装：CST3

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