RN1421TE85LF
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是东芝半导体的RN1421TE85LF的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);晶体管类型:NPN - 预偏压;电流-集电极(Ic)(最大值):800mA;电压-集射极击穿(最大值):50V;电阻器-基底(R1)(欧姆):1k;
- 厂商:东芝半导体
- 类别:
分立半导体产品/晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流-集电极(Ic)(最大值):800mA
- 电压-集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器-基底(R1)(欧姆):1k
- 电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):1k
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):60 @ 100mA,1V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):250mV @ 2mA,50mA
- 电流-集电极截止(最大值):500nA
- 频率-跃迁:300MHz
- 功率-最大值:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:S-Mini