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NSVMUN5237T1G

NSVMUN5237T1G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的NSVMUN5237T1G的数据表，它是属于分立半导体产品 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式。 具体规格参数如下：系列：*；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：-
  • 系列：*
  • 晶体管类型：-
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 电阻器-基底（R1）（欧姆）：-
  • 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：-
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：-
  • 电流-集电极截止（最大值）：-
  • 频率-跃迁：-
  • 功率-最大值：-
  • 安装类型：-
  • 封装/外壳：-
  • 供应商器件封装：-

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