SSVMUN5312DW1T2G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的SSVMUN5312DW1T2G的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);安装类型:表面贴装;封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- 晶体管类型:-
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 电压-集射极击穿(最大值):-
- 电阻器-基底(R1)(欧姆):-
- 电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):-
- 电流-集电极截止(最大值):-
- 频率-跃迁:-
- 功率-最大值:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363