PDTB113ES,126

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PDTB113ES,126的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：带盒（TB）；晶体管类型：PNP - 预偏压；电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：1k；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：带盒（TB）
系列：-
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：1k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：1k
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：33 @ 50mA，5V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：500mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3

PDF 下载