ULN2803AFWG,C,EL

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的ULN2803AFWG,C,EL的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：8 NPN 达林顿；电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.6V @ 500µA，350mA；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：8 NPN 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.6V @ 500µA，350mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：1000 @ 350mA，2V
功率-最大值：1.31W
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装：18-SOL

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