SSM2212RZ-R7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是亚德诺半导体的SSM2212RZ-R7的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：2 NPN（双）配对；电流-集电极（Ic）（最大值）：20mA；电压-集射极击穿（最大值）：40V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：200mV @ 100µA，1mA；

厂商：亚德诺半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：2 NPN（双）配对
电流-集电极（Ic）（最大值）：20mA
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：200mV @ 100µA，1mA
电流-集电极截止（最大值）：500pA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
功率-最大值：-
频率-跃迁：200MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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