PBSS4032SN,115

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PBSS4032SN,115的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：2 NPN（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：5.7A；电压-集射极击穿（最大值）：30V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：450mV @ 300mA，6A；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：2 NPN（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：5.7A
电压-集射极击穿（最大值）：30V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：450mV @ 300mA，6A
电流-集电极截止（最大值）：100nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：250 @ 2A，2V
功率-最大值：2.3W
频率-跃迁：140MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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