HBDM60V600W-7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的HBDM60V600W-7的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN，PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA，600mA；电压-集射极击穿（最大值）：65V，60V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：400mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 50mA，500mA；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA，600mA
电压-集射极击穿（最大值）：65V，60V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：400mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 50mA，500mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 100mA，1V / 100 @ 150mA，10V
功率-最大值：200mW
频率-跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

PDF 下载