中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列  >  EMZ1T2R

EMZ1T2R

EMZ1T2R

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是罗姆半导体集团的EMZ1T2R的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;晶体管类型:NPN,PNP;电流-集电极(Ic)(最大值):150mA;电压-集射极击穿(最大值):50V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA;


  • 厂商:罗姆半导体集团
  • 类别: 分立半导体产品/晶体管(BJT) - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN,PNP
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):150mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
  • 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V
  • 功率-最大值:150mW
  • 频率-跃迁:180MHz,140MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:EMT6
PDF 下 载
下载