QSZ4TR

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的QSZ4TR的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN，PNP（耦合发射器）；电流-集电极（Ic）（最大值）：2A；电压-集射极击穿（最大值）：30V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：370mV @ 75mA，1.5A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP（耦合发射器）
电流-集电极（Ic）（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：30V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：370mV @ 75mA，1.5A
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：270 @ 200mA，2V
功率-最大值：1.25W
频率-跃迁：280MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
供应商器件封装：TSMT5

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