HN1C01FE-GR(5L,F,T
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是东芝半导体的HN1C01FE-GR(5L,F,T的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;晶体管类型:2 NPN(双);电流-集电极(Ic)(最大值):150mA;电压-集射极击穿(最大值):50V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA;
- 厂商:东芝半导体
- 类别:
分立半导体产品/晶体管(BJT) - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:2 NPN(双)
- 电流-集电极(Ic)(最大值):150mA
- 电压-集射极击穿(最大值):50V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA
- 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V
- 功率-最大值:100mW
- 频率-跃迁:80MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:ES6