NST3904DP6T5G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NST3904DP6T5G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：2 NPN（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA；电压-集射极击穿（最大值）：40V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 5mA，50mA；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：2 NPN（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V
功率-最大值：350mW
频率-跃迁：200MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-963
供应商器件封装：SOT-963

PDF 下载