HN4B04J(TE85L,F)

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的HN4B04J(TE85L,F)的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN，PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA；电压-集射极击穿（最大值）：30V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，100mA；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压-集射极击穿（最大值）：30V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：100µA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：70 @ 100mA，1V
功率-最大值：300mW
频率-跃迁：200MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74A，SOT-753
供应商器件封装：SMV

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