STD830CP40

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STD830CP40的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：NPN，PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：3A；电压-集射极击穿（最大值）：400V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：500mV @ 200mA，1A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：3A
电压-集射极击穿（最大值）：400V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：500mV @ 200mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：100µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：18 @ 700mA，5V
功率-最大值：3W
频率-跃迁：-
安装类型：通孔
封装/外壳：8-DIP（0.300，7.62mm）
供应商器件封装：8-DIP

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