HN1B01F-GR(TE85L,F

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的HN1B01F-GR(TE85L,F的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN，PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：150mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 10mA，100mA；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：150mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 10mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 2mA，6V
功率-最大值：300mW
频率-跃迁：120MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：SM6

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