NSS40302PDR2G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NSS40302PDR2G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN，PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：3A；电压-集射极击穿（最大值）：40V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：115mV @ 200mA，2A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：3A
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：115mV @ 200mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：180 @ 1A，2V
功率-最大值：653mW
频率-跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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