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综述介绍

MPQ3762

MPQ3762

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是中央半导体公司的MPQ3762的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：4 PNP（四路）；电压-集射极击穿（最大值）：40V；功率-最大值：3W；频率-跃迁：150MHz；

厂商：中央半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：4 PNP（四路）
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：-
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
功率-最大值：3W
频率-跃迁：150MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：14-DIP（0.300，7.62mm）
供应商器件封装：TO-116

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