ZXTDAM832TA

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是达尔捷特科的ZXTDAM832TA的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：2 NPN（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：4.5A；电压-集射极击穿（最大值）：15V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：280mV @ 50mA，4.5A；

厂商：达尔捷特科
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：2 NPN（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：4.5A
电压-集射极击穿（最大值）：15V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：280mV @ 50mA，4.5A
电流-集电极截止（最大值）：25nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 3A，2V
功率-最大值：1.7W
频率-跃迁：120MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-MLP（3x2）

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